PDTB113ZQAZ دیتاشیت

PDTB113ZQAZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTB113ZQAZ
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت PDTB113ZQAZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTB113ZQAZ
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 325mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 70@50mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@2.5mA,50mA
  • Package: SOT-1215
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه